一般空穴的迁移率小于电子的迁移率，因此制作霍尔元件时多采用P型半导体材料以获得更好的性能。

A、金属材料电子浓度很高，RH 很大，UH 很小

B、任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件

C、半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体（多电子）

D、厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米

A．电子浓度 n= 空穴浓度 p

B．电子迁移率 μ n = 空穴迁移率 μ p

C．n 2 × μ n = p 2 × μ p

D．n × μ n 2 = p × μ p 2

A、基于本征半导体光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器

B、基于非本征半导体光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器

C、基于光子牵引效应激发受激光电子使其迁移率变化工作的红外探测器

D、基于肖特基势垒的多子跃迁过程工作的红外探测器

E、基于霍尔效应分离光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器

作为载流子，同时存在空穴和电子时，试证明塞贝克电压V_S为

  

    (1)

  其中

  

  σ_p，σ_n，α_p和α_n分别为空穴和电子的电导率及塞贝克系数，而且，σ=σ_p+σ_n，V_g=E_g/g。

假设P⁺N二极管受到光源的均匀照射，电子-空穴对产生率为G_L，解扩散方程证明

  

单选题：（每题5分，总分70分） 1.烧结型气敏元件以( )为基本材料 A.ZnO B.CdO C.SnO2 D.WO3 2.SnO2气敏元件较广泛的用于( ) A.测量气体质量 B.防灾报警 C.测量气体的浓度 D.用于电器的零件 3.氯化锂溶液的当量电导随着溶液的浓度增高而( ) A.增大 B.下降 C.不变 D.不确定 4.在涂覆膜型的湿敏元件中，比较典型的是( ) A.Fe3O4 B.ZnO C.WO3 D.CdO 5.湿度计使用在超过( )HR的高湿度区域中就会出现结露。 A.60% B.70% C.80% D.90% 6.下列气体为负离子吸附的是( ) A.O2 B.H2 C.CO D.CO2 7.下列气敏元件性能最好的是( ) A.烧结型 B.厚膜型 C.薄膜型 D.高分子膜型 8.制造半导体陶瓷湿敏元件的材料，主要是不同类型的金属( ) A.氯化物 B.氧化物 C.混合物 D.硫化物 9.烧结型半导体陶瓷电阻感湿体MgCr2O4-TiO2为多孔陶瓷，其气孔率达( ) A.50%~60% B.30%~40% C.20%~30% D.10%~20% 10. Fe3O4湿敏元件不包括( ) A.基片 B.电极 C.感湿膜 D.加热器 11.负载性湿敏半导瓷MgO，如果该半导瓷是P型半导体，由于水份吸附，则下降的是( ) A.电子 B.电阻 C.空穴 D.电流 12.半导瓷气敏元件既有的特点不包括( ) A.灵敏度高 B.响应时间快 C.工艺简单 D.成本高 13.烧结型器件具有( )的优点。 A.一致性较好 B.寿命长 C.机械强度好 D.适于批量生产 14.气敏传感器检测气体的( ) A.温度和浓度 B.温度和成份 C. 成份和湿度 D.成份和浓度

长30mm，宽6mm，厚1mm的p型半导体样品，其电阻值为500Ω。把它放置于垂直样品平面的0.5T的磁场中，当通过样品的电流为10mA时，出现5mV的霍尔电压。试求半导体样品的霍尔迁移率和载流子浓度。