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[单选题]

电路如图所示,则晶体管工作于()。电路如图所示,则晶体管工作于()。

A.饱和区

B.放大区

C.截止区

D.不能确定

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第1题

放大电路如图所示,其中的晶体管工作在() [图]A、饱和区...

放大电路如图所示,其中的晶体管工作在()

A、饱和区

B、放大区

C、截止区

D、非线性区

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第2题

放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,则该电路中三极管工作在(  )。

   

A.放大区  B.饱和区  C.截止区  D.无法确定

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第3题

固定偏置共射极放大电路,[图],硅晶体管的[图],则该电...

固定偏置共射极放大电路,,硅晶体管的,则该电路中三极管工作在 。

A、放大区

B、饱和区

C、截止区

D、无法确定

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第4题

题A-53图所示电路,已知晶体管的β=100,UBE(on)=0.7V,求:(1)若管子的饱和压降UCE(set)=1V,为使该管工作在线性放大区,RB应取何范围值?(2)若UCE(set)<0.7V,RB=10kΩ,则此管会不会饱和?

  

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第5题

如图题6.6所示,已知[图],[图],假设所有晶体管的其他参...

如图题6.6所示,已知,假设所有晶体管的其他参数均匹配,且都工作在饱和区,求电路中的I2和I5的大小。

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第6题

放大电路的直流通路如图所示,晶体管为硅管,判断其静态工作点位于( )区。

A、饱和

B、放大

C、截止

D、恒流

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第7题

电路如图所示,要使得晶体管工作在饱和区,且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V,L=1μm,W=32μm,,忽略沟道长度调制效应,则电阻

A、5, 3.25

B、4, 6

C、3, 7

D、3.25, 5

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第8题

在共射极放大电路中,增大电阻[图],以下说法不正确的是...

在共射极放大电路中,增大电阻,以下说法不正确的是

A、当晶体管工作在线性区时,适当增大可以提高电压放大倍数。

B、增加输入电阻。

C、当增大时,静态工作点可能会进入饱和区。

D、增加输出电阻。

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