已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得。保持U和R不变，温度下降10℃，I将____。

已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得。保持U和R不变，温度下降10℃，I将____。

A、为2μA 左右

B、为0.5μA 左右

C、变化不大

D、远大于2μA

已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得。当R从10kΩ 减小至5kΩ 时，I将____。

A、为2μA 左右

B、为0.5μA 左右

C、变化不大

D、远大于2μA

在图3．4．1(b)所示电路中，已知二极管的反向击穿电压为20 V，当V1=5 V、温度为20℃时I=2μA。若电源电压由5 V增大到10 V，则电流I约为________；设电源电压保持5 V不变，温度由20℃下降到10 ℃时，则电流I约

为_______；按通常规定，此二极管的最大反向工作电压为________。 a．2μA b．1 μA c．15 V d．10 V

A.100V

B.200V

C.150V

D.250V

什么叫二极管的反向击穿和反向击穿电压？

晶体二极管的最高反向电压为反向击穿电压值的()或()。

一个二极管的反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压( )

A、约等于150V

B、可略大于150V

C、不得大于45V

D、等于75V

一个硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压为()。

A.大于1580V

B.略小于150V

C.不得超过40V

D.等于75V

将两只反向击穿电压为50V的二极管串联接到有效值为100V的正弦电源上，能正常使用吗?需要几只串联才行?