已知Al的点阵常数为0.4049nm，其结构原子体积是0.01659。

A.密排六方

B.体心立方

C.面心立方

D.简单立方

A.0.04912nm³

B.0.06638nm³

C.0.04514nm³

D.0.05032nm³

A.0.3825nm

B.0.6634nm

C.0.4523nm

D.0.4049nm

A、0.2726 nm

B、0.1363 nm

C、0.0681 nm

D、0.1687 nm

Mn的同素异构体有一为立方结构，其晶格常数为0.632nm，原子半径为0.112nm，为7.26g/cm3，Mn单位晶胞中原子数n和致密度k为（）。

MgO具有NaCl型结构，试求MgO的密度和堆积密度。已知Mg²⁺半径为0.078nm，Mg的相对原子质量为24.31；O^2-半径为0.132nm，O的相对原子质量为16.00。

制造半导体元件的纯净锗必须仅含有10^-9杂质原子，若将锗的结构看作为立方点阵，晶格常量设为0.5nm，试估计杂质原子之间的距离．