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常温下,硅二极管的门槛电压约为()V。

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第1题

在常温下,硅二极管的开启电压约为 V。

A、0.7

B、0.1

C、0.5

D、0.2

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第2题

常温下,硅二极管的开启电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V;锗二极管的开启电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

A、0.5

B、0.7

C、0.1

D、0.2

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第3题

在常温下,硅二极管导通压降约为 V。锗二极管导通压降约为 V。
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第4题

硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V,锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V。
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第5题

常温下,硅二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流时正向压降约为 V;锗二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流时正向压降约为 V。 ()
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第6题

在常温下,硅二极管导通后的正向压降约为 V
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第7题

二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。

A.0.1;0.2

B.0.2;0.3

C.0.5;0.1

D.0.5;0.4

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第8题

硅二极管的死区电压约为()伏。
A、0.1

B、0.7

C、0.2

D、0.5

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