当半导体硅中掺有施主杂质时，主要靠 （） 导电，这种半导体称为N型半导体。

A、N型半导体中多子是电子，少子是空穴

B、P型半导体可以掺磷（P）得到

C、P型半导体主要靠空穴导电

D、向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体

某半导体硅样品，施主杂质原子的浓度为1012cm-3，试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性?设Eg=1eV，mn*=mp*=0．2m0

某半导体硅样品，施主杂质原子的浓度为10¹²cm^-3，试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性?设E_g=1eV，

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。

C、中性杂质不会对半导体产生影响。

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级。

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。

J、如果杂质能级（深能级）的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金。

K、如果杂质能级（深能级）的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用。

A. P

B. N

C. PN

D. PNP

主要靠空穴导电的称为N型半导体。()

此题为判断题(对，错)。

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。( )

杂质半导体有P型半导体和N型半导体，由它们构成PN节，PN节具有（）导电性，可以做成（）器件。