场效应管中，互导增益gm为一常数（）

有一场效应管电抗管电路，对10MHz主振器进行调频，得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导g_m在栅压控制下线性变化范围为0～0.628mS，取电阻R为电容C的容抗的1/10。试计算振荡器回路的电感和电容。

求出上题耗尽型绝缘栅场效应管3D01E在U_GS=-1V时的跨导g_m。

电路如下图所示所示，设场效应管的参数为g_m1=0.7mS，λ₁=λ₂=0.01V^-1。场效应管静态工作时的偏置电流I_REF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益A_v。

  

电路如图题5.2.6所示，设场效应管的参数为g_m1=0.8mS，λ₁=λ₂=0.01V^-1。场效应管的静态工作电流I_D=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。

如图6．5．7所示的哈特莱振荡器，其场效应管的跨导gfs=2 mS，漏极电阻rds=20 kΩ，回路总电感量为20μH，线圈匝数比n1／n2=10，电容C=20 pF。 求振荡器的频率以及用分贝表示的放大器增益。

电路如图题5.2.8所示，设场效应管的参数为g_m1=1mS，g_m2=0.2mS，且满足和。试求。

  

放大电路如下图所示，V为N沟道耗尽型场效应管，g_m=1mS；VT为双极型晶体管，β=50，r_be=1kΩ，试计算放大电路的电压增益，输入电阻R_i和输出电阻R_o。

  

图场效应管和硅三极管组成的两级放大电路，已知场效应管的参数为：g_m=0.6mS，三极管的β=100，h_be=1kΩ。并已知R_g=1MΩ，R_g1=R_g2=200kΩ，R_d=10kΩ，R_s1=1kΩ，R_s2=10kΩ，R_e=2kΩ，R_L=20kΩ。试计算和R_o。   

电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1，l = 0。则场效应管的gm ? _______，电路的小信号电压增益约为 _______ 。

A、1.42 mA/V，12.78

B、3.02 mA/V，-27.2

C、1.42 mA/V，-12.78

D、3.02 mA/V，-12.78