如图所示的功率放大电路，若忽略三极管的饱和压降VCES，电源电压为VCC=12V，负载电阻RL=8Ω，则三极管的极限参数V(BR)CEO应满足 （）

如图所示的功率放大电路，若忽略三极管的饱和压降VCES，电源电压为VCC=12V，负载电阻RL=8Ω，则三极管的极限参数PCM应满足（）

A、大于3.6W

B、大于1.8W

C、小于等于3.6W

D、小于等于1.8W

如图所示的功率放大电路，若忽略三极管的饱和压降VCES，电源电压为VCC=12V，负载电阻RL=8Ω，则三极管的极限参数ICM应满足（）

A、≥1.5A

B、≥3A

C、<1.5a<br> D、<3a<br>

图1所示放大电路，已知：U_BEQ=-0.2V，三极管的饱和压降U_CES=-0.2V。要求：

 

功率放大电路如题5图所示，三极管的饱和压降U_CES=1V，该电路的最大效率η_max为(  )。

  A．78.5% B．70.68%  C．62.8%  D．50%

 

在图P3.26(a)所示电路中已知三极管导通时饱和压降,饱和导通内阻为三极管的电流放大系数β=100.OC门G₁输出管截止时的漏电流约为50μA,导通时允许的最大负载电流为16mA,输出低电平≤0.3V.均为74系列TTL电路,其中G₂为反相器,G₃和G₄是与非门,G₅是或非门,它们的输入特性如图P3.26(b)所示.试问

(1)在二极管集电极输出的高、低电压满足的条件下,R_N的取值范围有多大?

(2)若将OC门改成推拉式输出的TTL门电路,会发生什么问题?

如图所示放大电路中，已知三极管的β=80。

  

如图所示共射放大电路的电压增益的相关因素有

A、三极管的电流放大倍数

B、静态工作点变量ICQ

C、温度

D、电源电压+VCC

E、CB、CE、cC

F、信号源内阻RS

如图所示共射放大电路的电压增益的相关因素有

A、三极管的电流放大倍数

B、静态工作点变量ICQ

C、温度

D、电源电压+VCC

E、CB、CE、CC

F、信号源内阻RS

4.电路如图所示，三极管处于（ ）。

A、饱和状态

B、放大状态

C、截止状态

D、不确定