以下________直接导致NPN晶体管的输出阻抗变小

根据晶体管的输出特性曲线，在放大区，当I_B一定时，I_C的值随U_CE变化（）。

A. 很小

B. 很大

C. 为0

D. 已经饱和

A、减少在基区中复合的电子数

B、使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C、基区中空穴的扩散长度很小

D、使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

A、继电器输出为有触点输出型电路，可驱动交流或直流负载，多用于低频负载。

B、晶体管输出型用于高频小功率负载。

C、晶体管输出型用于高频大功率负载。

D、晶闸管输出型用于高频大功率负载。

B．集电极电流

C．电流放大倍数

D．电压放大倍数

A、ＵＣＥ≥ＵＢＥ。

B、ＵＣＥ≤ＵＢＥ。

C、ＵＣＥ＝ＵＢＥ

D、ＵＣＥ≈0.3V

A、驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件

B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供

C、通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管

D、高耐压的同时也具有很小的通态压降

E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大

F、关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长

图示放大电路具备以下特点：与晶体管的大小无关。（ ）