题目内容
（请给出正确答案）
A.半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B.半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C.常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D.常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
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第1题
A、半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B、半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C、常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D、常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E、常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F、常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
第3题
A. 只存在一种载流子：自由电子
B. 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C. 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D. 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
第4题
B.所有半导体材料都属于金属化合物
C.温度升高，半导体的电阻会随之变高
D.LED灯利用半导体将电能转化为光能
第5题
A、二极管是一种电流控制电流的半导体器件，有PNP型和NPN型
B、二极管具有单向导电性，正向电压下，导通电阻很小；反向电压下，导通电阻极大
C、二极管在电路中的主要作用是放大和开关
D、二极管也成为双极性晶体管
第6题
A、快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管
B、肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管
C、快恢复二极管的正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。
D、肖特基二极管具有正向压降低、反向恢复时间很短,而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合
第7题
A、光电池时基于光生伏特效应制成的，时自发电势有源器件，其中硅电池应用最广泛
B、光敏电阻的工作原理是基于光电导效应，具有很高的灵敏度
C、光敏二极管的结构与普通半导体二极管类似，一般工作与反向偏置状态
D、入射光高于红限频率，如果光线比较微弱就不会又光电子发射出来。
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