如图所示各电路中，有可能工作在恒流区场效应管有

在如图所示的电路中，已知，，。由此可判断出电路中的场效应管工作在 区。

A、可变电阻区

B、恒流区

C、截止区

D、击穿区

耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示，R_L变化时，i_L几乎不变。已知场效应管的I_DSS=4mA，U_GS(off)=-4V，求

  

电路如图所示。其中RG=1.1MΩ，RS=10kΩ，场效应管的gm=0.9mS，各电容器的电容量均足够大，电源电压VDD的大小已足以保证管子能工作于恒流区。则电路的Au、Ri和Ro分别约为（）。

A、0.9；1.1MΩ；10kΩ

B、0.9；1.5MΩ；1kΩ

C、9；1.1MΩ；1kΩ

D、0.9；1.1MΩ；1kΩ

电路如图所示。其中RG=1.1MΩ，RS=10kΩ，场效应管的gm=0.9mS，各电容器的电容量均足够大，电源电压VDD的大小已足以保证管子能工作于恒流区。则电路的Au、Ri和Ro分别约为（）。

A、0.9；1.1MΩ；10kΩ

B、0.9；1.5MΩ；1kΩ

C、9；1.1MΩ；1kΩ

D、0.9；1.1MΩ；1kΩ

由增强型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：

A、静态工作点过于靠近饱和区

B、静态工作点过于靠近截止区

C、静态工作点过于靠近恒流区

D、静态工作点过于靠近击穿区

由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：

A、静态工作点过于靠近截止区

B、静态工作点过于靠近饱和区

C、静态工作点过于靠近恒流区

D、静态工作点过于靠近击穿区

图中所示电路中的场效应管可能工作在恒流区（）。

分别判断图PI.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区.

在如图所示的场效应管放大电路中，设，。，，，。试计算（1）静态工作点；（2）、；（3）。