已知半导体能带中，费米能级位于禁带中心的上方，则

A、

B、

C、

D、

A. 中间

B. 上部

C. 下部

D. 不确定.

已知硅半导体中每立方厘米掺有1个硼原子，则：

A、这是N-Si

B、电子浓度为

C、该半导体中空穴为少数载流子

D、该半导体的费米能级在禁带中心下方

A、在一定的温度下，稳定状态下的半导体只有一个费米能级

B、准费米能级的分裂的大小直接反映出半导体偏离热平衡态的程度。

C、在一定的温度的非平衡状态下，载流子浓度积仍然是一个常数

D、少子准费米能级的偏离程度大于多子准费米能级的偏离程度

E、对于电子来说，导带费米能级和价带费米能级都是全局性的

F、在非平衡状态下，多子准费米能级的位置并没有发生偏离

已知Si中每立方厘米掺有个硼原子

A、这是N-Si

B、该半导体中费米能级在禁带中心的上方

C、该半导体中NA=

D、该半导体中电子浓度为

A、>

B、=

C、<

D、不同于