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[主观题]

光电倍增管、变像管、像增强器都是利用光电发射效应制成的光电器件。()

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第1题

外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。
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第2题

CR的成像是利用

A、光激励存储荧光体

B、非晶硒等光电转换晶体

C、稀土

D、影像增强器

E、光电倍增管

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第3题

下列器件哪些属于光电发射器件

A、真空光电管

B、光电倍增管

C、像增强器

D、光电耦合器

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第4题

光电倍增管与像增强器指的是同一种对弱光信号进行探测和放大的电真空器件,只是在不同场合名称叫法不同。
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第5题

下列器件运用外光电效应的是()

A. 光电倍增管

B. 光电池

C. 像增强管

D. 光敏电阻

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第6题

CR利用下列哪项介质进行成像

A.光激励存储荧光体

B.非晶硒等光电转换晶体

C.稀土

D.影像增强器

E.光电倍增管

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第7题

以下对于光电传感器描述错误的是:

A、光电倍增管可以将微弱光信号转换成电信号

B、光敏电阻的电阻值随入射光增强而增大

C、光敏晶体管利用光照强弱来改变电路中的电流大小

D、光电池是一种自发电式的光电器件

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第8题

二代像增强器是指采用了( )数量倍增器的像增强器。
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第9题

关于影像增强器结构功能的组合,错误的是

A、入射窗-铝或钛金属制成

B、输入屏-荧光体和光电面

C、光电阴极-将X线转换成可见光像

D、输出屏-形成可见光

E、集束电极-将光电子加速、聚焦

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第10题

关于影像增强器结构功能的组合,错误的是

A、入射窗-铝或钛金属制成

B、输入屏-荧光体和光电面

C、光电阴极-将X线转换成可见光像

D、输出屏-形成可见光

E、聚焦

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