题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
CMOS反相器的负载电容
CMOS反相器的负载电容
，功耗电容
，电源电压
，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
A.1.3 W
B.1.09 W
C.1.09 mW
D.1.3 mW
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第1题
在图P3.8电路中，若CMOS反相器的电源电压VDD＝5V，负载电容CL＝100pF，静态电源电流为20μA。当输入为1MHz矩形波时测得电源电流的平均值为o.72mA，试求反相器功耗电容Cpd的数值。
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，则反相器的门槛电压为（ ）。（ 1.1/2VDD 2.1/3VDD 请填写序号）第5题
题5-2-4：如下不是CMOS反相器的负载电容的是 。
A、MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP
B、下级电路的输入电容Cin
C、MOS管的结电容
D、互连线引起的寄生电容Cl
,可以提高CMOS反相器的噪声容限。
。第8题
下列关于降低CMOS反相器的降低电源电压说法错误的是（）。
A、降低电源电压意味着减小信号摆幅和能耗。
B、降低电源电压的同时会使门的延时减小。
C、降低电源电压可以帮助减小系统的内部噪声。
D、降低电源电压使反相器对外部噪声源更加敏感。
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