题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
CZ法制备单晶硅时，常见的crystal pulling过程分为下种、缩颈和
A.放肩
B.等径生长
C.收尾拉光
D.转肩
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A、体心立方
B、面心立方
C、金刚石
D、闪锌矿
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第3题
在制备硫酸亚铁铵晶体的过程中，下列说法不正确的是
A、应保持H2SO4适当过量，避免Fe2＋、NH＋4的水解
B、将铁屑放入Na2CO3溶液中浸泡数分钟是为了除去铁屑表面的油污
C、将FeSO4和(NH4)2SO4的混合溶液加热蒸干即可得到硫酸亚铁铵
D、洗涤硫酸亚铁铵晶体时，应用少量酒精洗去晶体表面附着的水分
第4题
关于硅的晶体结构，以下说法正确的是
A、硅是闪锌矿结构
B、单晶硅中原子排列整齐有序，所以单晶硅不同晶面的性质也是一样的
C、多晶硅长程无序，芯片制造中是不会使用多晶硅的
D、单晶硅中最常见的晶向是[100]，[110]，[111]
第7题
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）
A. 在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B. 非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C. 多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D. 与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
第8题
关于半导体的晶体结构，以下说法中正确的是
A、硅是闪锌矿结构
B、晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元
C、单晶硅中原子排列整齐，各部分性质相同
D、多晶硅中的原子排列杂乱无序，所以在集成电路制造过程中不使用
第10题
关于超临界流体快速膨胀法合成粉体过程的描述，正确的是（）。
A. 适用于一些对振动敏感，易热分解或化学分解，很难以机械研磨方式制细的粉体的制备
B. 这种方法已经被用于一些无机物和陶瓷粉体材料的制备
C. 合成二氧化硅和a氧化铝时使用的超临界流体是一些超临界温度比较高的溶剂如水、乙醇和戊烷等
D. 在超临界水中合成二氧化硅和a氧化铝时操作压力在18－60MPa之间，膨胀前温度300-600度，得到晶体的
E. 粒度一般为纳米级
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