半导体生产中常常采用的氧化方法是

A、得到较好的表面特性

B、较短的时间得到较厚的薄膜

C、较好的硅/二氧化硅界面特性

D、提高氧化膜的质量

A、18MΩ.cm

B、18Ω.cm

C、18kΩ.cm

D、1.8Ω.cm

A、18Ω.cm

B、18MΩ.cm

C、18KΩ.cm

D、1.8MΩ.cm

此题为判断题(对，错)。

A. 氧化

B. 改变导电类型

C. 涂层

D. 改变材料性质

E. 镀膜