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[单选题]

对于耗尽型MOS管,UGS可以为()。

A.正

B.负

C.0

D.都可以

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第1题

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。 ()

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第2题

UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。

A、结型管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

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第3题

UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。

A、结型管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

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第4题

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()

此题为判断题(对,错)。

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第5题

对于增强型N型沟道MOS管,UGS只能为负,并且只能当UGS小于开启电压 时,才能形有漏极电流。
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第6题

试用N沟道耗尽型MOS管构成一共漏放大电路并与共集电极放大电路进行比较,在电路性能上有哪些相同的特点。
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第7题

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式()

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第8题

开关MOS管选型需要注意哪些参数?
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第9题

忽略表面态和功函数差的影响,绘出在偏压条件下N型衬底MOS结构中对应载流子积累、耗尽和强反型三种情况下的能带和电荷分布示意图.

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第10题

静态随机存储器可以用双极型器件构成,也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比,下面哪一项不是它的特点( )

A.工艺较简单

B.集成度较低

C.存取速度低

D.功耗比较大

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