A.正
B.负
C.0
D.都可以
第1题
第2题
A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
第3题
第4题
此题为判断题(对,错)。
第5题
第6题
第7题
第8题
第9题
忽略表面态和功函数差的影响,绘出在偏压条件下N型衬底MOS结构中对应载流子积累、耗尽和强反型三种情况下的能带和电荷分布示意图.
第10题
A.工艺较简单
B.集成度较低
C.存取速度低
D.功耗比较大
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