题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层,以下说法正确的是()。

A.为电池的窗口层;

B.具有较高的电导率;

C.具有较宽的光学带隙;

D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。

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第1题

单结n-i-p结构的微晶硅薄膜太阳能电池的ITO层多采用氧化锌或掺铝氧化锌,厚度通常为70-80nm。
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第2题

微晶硅太阳能薄膜电池的厚度通常为2-3um。
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第3题

硅太阳能电池一般制成p+/n型结构或n+/P型结构。

A.错误

B.正确

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第4题

制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结,通常采用()

A.离子注入法

B.外延法

C.激光法

D.扩散法

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第5题

下列关于半导体硅太阳能电池的说法,正确的是()
A、利用光的量子特性,使硅材料中的电子发生能级跃迁,产生电势差

B、利用光照使硅材料发生化学反应,产生电荷的移动和电位差

C、利用光照使硅材料燃烧发电

D、太阳光照射到硅材料上,会产生激光

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第6题

下列关于半导体硅太阳能电池的说法,正确的是()

A.利用光的量子特性,使硅材料中的电子发生能级跃迁,产生电势差

B.利用光照使硅材料发生化学反应,产生电荷的移动和电位差

C.利用光照使硅材料燃烧发电

D.太阳光照射到硅材料上,会产生激光

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第7题

近年来,薄膜太阳能电池技术发展迅速。下列关于薄膜太阳能电池的说法不正确的是()。

A.其工作的基本原理是光热电的转换

B.因其具有可挠性,可以制作成非平面构造

C.光电转换率最高可以达到13%

D.照度相同下,损失的功率较晶圆太阳能电池少

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第8题

近年来,薄膜太阳能电池技术发展迅速,下列关于薄膜太阳能电池技术说法不正确的是()。

A.因具有可挠性可以制作成非平面构造

B.其工作的基本原理是光—热—电的转换

C.光电转换率最高可以达到13%

D.照度相同下,损失的功率较晶圆太阳能电池少

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第9题

以下有关太阳能电池短路电流的描述正确的是( )。
A、太阳能电池在短路条件下,光生电动势与负载条件下的光生电动势相同。

B、太阳能电池在短路条件下,电流从N区流向P区。

C、太阳能电池在短路条件下,非平衡载流子不再积累于PN结的两侧,PN结恢复平衡状态。

D、太阳能电池在短路条件下,电流从P区流向N区。

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第10题

下列关于薄膜太阳能电池说法不正确的是( )。

A.因具有可挠性可以制作成平面构造

B.其工作的基本原理是光——热——电的转换

C.光电转换率最高可以达到13%

D.照度相同下,损失的功率较晶圆太阳能电池少

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