以下关于PN结电容说法正确的是

A、正向电压增大时，势垒电容增大

B、正向电压增大时，扩散电容减小

C、反向电压增大时，势垒电容增大

D、势垒电容是一种可变电容，扩散电容是一种固定电容

A、点接触型二极管结电容很小,不能承受高的反向电压和大的电流。适于做高频检波和脉冲数字电路的开关元件,或用来做小电流整流。

B、面触型二极管结电容很小,不能承受高的反向电压和大的电流。适于做高频检波和脉冲数字电路的开关元件,或用来做小电流整流。

C、二极管的反向电流IR要比理想PN结的反向饱和电流IS大得多,IR愈小,表明二极管的单向导电性愈好。

D、二极管的反向电流IR要比理想PN结的反向饱和电流IS小得多,IR愈小,表明二极管的单向导电性愈好。

A、平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷　区是由施主杂质离子构成的

B、正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主

C、PN结中自建电场的方向是由N区指向P区

D、PN结始终具有整流特性

A、MOS电容是固定电容

B、MOS电容就是MOS栅氧化层电容

C、MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的

D、随着栅电压增加，MOS电容会减小

A、电容式传感器不能用于非接触测量

B、电容式传感器测量精度不受温度影响

C、电容传感器将被测量转换为电容量的变化后，需要后接测量电路

D、以上说法都不正确

A、极距变化型电容传感器无法进行非接触测量

B、极距变化型电容传感器适用于较小位移的测量

C、面积变化型电容传感器适用于较小位移的测量

D、电容传感器能够测量液位的高度是因为液位高度的变化会引起电容极板间距的变化

关于电磁振荡，以下说法正确是的（ ）

A、电容器C中的电场会周期性增强和减弱

B、线圈L中的电流保持不变

C、电路中的电流会周期性增加和减小

D、LC振荡电路会向外辐射电磁场

A、能够将交流电转变成直流电

B、只允许电流从一个方向流过

C、低频整流特性较差

D、高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用

A、像素存储电容Cs的作用是在一个帧频周期维持像素信号电压

B、独立的存储电容被设计在像素的中间，像素的开口率较低

C、共栅极存储电容的TFT结构，能够得到较大的开口率

D、有源寻址结构包含存储电容Cs和TFT两部分

A、电容器的电容与其是否带电无关

B、若两个电容器极板间的电势差相同，则电容越大，储存的电荷越多

C、若两个电容器极板的带电量相同，则电容越大，储存的电场能量越少

D、电容器储存的电荷越多，电容越大

E、电容器两个极板的电势差越大，电容越大

F、开始时电容器两个极板间为真空，若填充了电介质后，电容值减小

G、开始时电容器两个极板间为真空，若填充了电介质后，电容值不变