从能带角度分析，非晶硅薄膜材料中存在着连续分布的状态密度，其导带和价带之间并没有严格定义的带隙。

A、非晶硅薄膜

B、多晶硅(微晶硅)薄膜

C、CdTe

D、CdS薄膜

E、CuInSe2(CuInS2)薄膜

A、多晶硅(微晶硅)薄膜

B、CdS薄膜

C、非晶硅薄膜

D、CuInSe2(CuInS2)薄膜

E、CdTe

A、多晶硅(微晶硅)薄膜

B、CuInSe2(CuInS2)薄膜

C、CdS薄膜

D、非晶硅薄膜

E、CdTe

此题为判断题(对，错)。

A、非晶硅薄膜

B、CuInSe2(CuInS2)薄膜

C、单晶硅薄膜

D、多晶硅(微晶硅)薄膜

A、非晶硅薄膜

B、多晶硅(微晶硅)薄膜

C、单晶硅薄膜

D、CuInSe2(CuInS2)薄膜

B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO₂

C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D、易于进行n型和p型掺杂