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[单选题]

刀具半径补偿赋值功能G10L12P1R8,下列说法正确的是()。

A.D10=12

B.D1=8

C.R8表示圆弧半径

D.D8=1

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第1题

在G90/G91G10L11PR:中P所表示的是:()
A、刀具补偿号

B、刀具补偿量

C、工件坐标系

D、变更刀具补偿量方式

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第2题

表示设置/修改H代码的磨损补偿量的是()
A、G10L10P_R_

B、G10L11P_R_

C、G10L12P_R_

D、G10L13P_R_

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第3题

关于资本市场线,下列说法不正确的是( )。

A.资本市场线描述了无风险资产F与市场组合M构成的所有有效组合

B.有效组合的期望收益率由两部分构成:一部分是无风险利率rF(下标),它是由时间创造的,是对放弃即期消费的补偿

C.,是对承担风险σP(下标)的补偿,通常被称为风险溢价,与承担的风险的大小成正比

D.资本市场线揭示了有效组合的收益风险均衡关系,也给出了任意证券或组合的收益风险关系

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第4题

关于资本市场线,下列说法不正确的是( )。

A.资本市场线描述了无风险资产F与市场组合M构成的所有有效组合

B.有效组合的期望收益率由两部分构成:一部分是无风险利率rF,它是由时间创造的,是对放弃即期消费的补偿

C.另一部分则是是对承担风险σP的补偿,通常被称为“风险溢价”,与承担的风险的大小成正比

D.资本市场线揭示了有效组合的收益风险均衡关系,也给出了任意证券或组合的收益风险关系

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第5题

下图所示为自补偿式半导体应变片,R1为P-Si电阻条,R2为N-Si电阻条,不受应变时R1=R2。假设R1和R2的温度系数相同,现将其接入直流电桥电路中,要求桥路输出有最高电压灵敏度,并能补偿环境温度的影响。试画出测量桥路原理图,并解释满足上述要求的理由。

 

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第6题

如图4-24所示的电路中,电源电压u=10

sin314tV,R=4Ω,L=12.74mH,C=199μF,试求:(1)XL,XC及电路的等效复阻抗Z;(2)

(3)作相量图;(4)电路的P,Q,S和cosφ;(5)欲使电路的功率因数提高到0.95,应再并联多大的补偿电容CX?

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第7题

3. 用车削轴向复合循环G71和精加工循环G70加工如图所...

3. 用车削轴向复合循环G71和精加工循环G70加工如图所示的零件,原料为Φ100×170的棒料,工件原点建立在工件右端面的中心上。粗加工所用刀具为01刀,对应的刀具补偿号为01;精加工所用刀具为02刀,对应的刀具补偿号为02。试填写所缺程序段,并完成问题回答。 (1)填空 O0001; ┈1┈; 换01刀,调用其刀补,建立工件坐标系。 M3 S300; 主轴正转,转速;300转/分钟。 G99 G00 X100.0 Z10.0; G71 U┈2┈ R0.5; 每刀切深1mm[直径]。 G71 P080 Q120 U0.5 W0.5 F100 S200; 对a---d粗车加工,留精加工余量 N080 G00 X40.0; 精加工轨迹开始,定位到 X40 G01 Z-30.0 F0.1; a→b X60.0 W-30.0; b→c W-20.0; c→d ┈3┈ X100.0 W-10.0; d→e,精加工轨迹定义结束 G00 X220.0 Z50.0; 快速退刀到换刀位置 ┈4┈; 换02刀,调用其刀补,建立工件坐标系 X50.0 Z10.0 G70 P┈5┈ Q┈6┈; 对a---d精加工 G00 X220.0 Z50.0; 快速返回到安全位置 M05; 主轴停转 M30; 程序结束 (2)回答问题: 1) G71和G72车削复合循环在进行加工时,主要进给方向有什么区别?二者是不是只能用于外圆加工? 2) G71 、G72与G73车削复合循环分别适合车削什么类型的毛坯?

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第8题

程序“D01 M98 P1001”的含义是()。

A.调用P1001子程序

B.调用O1001子程序

C.调用P1001子程序,且执行子程序时用01号刀具半径补偿

D.调用O1001子程序,且执行子程序时用01号刀具半径补偿

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第9题

下列关于半导体应变片的说法错误的是

A、半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片

B、半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率 p发生变化的现象

C、半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好

D、半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接

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第10题

下列关于提升高频正弦波振荡器稳定性的方法,说法错误的是

A、适当增大相角

B、适当增大相角变化量

C、适当降低品质因素

D、减小外因变化

E、采用正、负温度系数的电感和电容进行温度补偿以抵消温度变化

F、减小湿度、大气压力变化

G、将振荡器密封起来

H、对振荡器进行屏蔽

I、加橡皮垫圈作减震器

J、在振荡器和下一级电路之间加射级跟随器

K、振荡器采用低阻抗输出

L、振荡器输出与下一级采用松耦合

M、采用克拉泼(Clapp)电路

N、采用串联型改进电容反馈三端LC振荡器

O、采用西勒(Selier)电路

P、采用并联型改进电容反馈三端LC振荡器

Q、提高回路的标准性,如采用优质材料的电感电容

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