题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

只考虑栅极电容时,若设最小晶体管电容为基本单位,则有

A.最小反相器的输入电容为2

B.最小NOR2的输入电容为4

C.最小NAND的输入电容为3

D.标准门的输入电容为6

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第1题

设最小晶体管栅极电容导致的延迟时间为1,下列单元器件的延迟时间正确的是

A、INV延迟时间为2

B、NAND2延迟时间为4

C、OR2延迟时间为4

D、标准门延迟时间为3

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第2题

若假设最小晶体管栅极电容导致的时间延迟为1,使用片内基本单元实现逻辑函数 y=a+b.c' 时,当信号从c到y的传递延迟时间为

A、6

B、8

C、10

D、12

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第3题

设某种晶体管的寿命(单位:h)是一个随机变量X.它的密度函数为

   

(1)试求该种晶体管的工作时间不到150小时的概率;

(2)一台仪器中装有4只此种晶体管,试求工作150小时后.至少有一直失效的概率.假定晶体管是否失效相互独立.

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第4题

设某种晶体管的寿命(单位:h)是一个随机变量X.它的密度函数为

  

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第5题

设某种晶体管的寿命(单位:h)是一个随机变量X.它的密度函数为

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第6题

达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。(  )
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第7题

绝缘栅场效晶体管的栅极为什么不能开路?
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第8题

绝缘栅场效晶体管的栅极为什么不能开路?
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第9题

放大器上限频率(高频特性)的存在是由于( )的影响造成的。

A.耦合电容

B.旁路电容

C.电阻

D.晶体管电容

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第10题

用万用表R×100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正、反向电阻,若都呈现最小的阻值,则这只晶体管( )。

A.两个PN结都被烧断

B.两个PN结都被击穿

C.只是发射结被击穿

D.只是发射结被烧断

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