设函数可导，当自变量在处取改变量，相应的函数改变量的线性主部为，则

设函数在点可导，分别是自变量和函数的增量，为其微分且则( )

A、

B、

C、0

D、

函数f(x)在处可导，则自变量的增量时，和是等价无穷小

设函数具有二阶导数，且，为自变量在点处的增量，与分别为在点处的增量与微分，若，则（ ）．

A、

B、

C、

D、

函数在处的导数就是在处对自变量的瞬时变化率.

设元函数对各个自变量的偏导数都存在，则其极值点必为驻点．

设元函数对各个自变量的偏导数都存在，则其极值点必为驻点．

求函数关于自变量的二阶导数，用下面哪个语句组可以完成？

A、clear syms x y=(sin(1+log(x)))^2 y2=diff(y,x,2)

B、clear syms x y=sin((1+log(x))^2) diff(y,x,2)

C、clear syms x y=sin(1+log(x)^2) y2=diff(y,x,2)

D、clear syms x y=sin(1+log(x))^2 y2=diff(y,x)

E、clear syms x y=sin(1+log(x))^2 y2=diff(y,x,2)

F、clear x=2; y=(sin(1+log(x)))^2 y2=diff(y,x)

函数f(X)在处的导数就是f(x)在处对自变量的瞬时变化率。

A、导数的阶次

B、自变量

C、给定函数

D、导数

1、VDD=3V的条件下，对图5.39所如下计算要求： a）推导工作在线性区的MOSFET的跨导和输出电阻的表达式。画出这些量以及gmro相对于VDS为自变量的函数图形，要求图形包含线性区和饱和区。 b）考虑图5.39中放大器，其中（W/L）1~4=50/0.5，Iss=1mA，输入CM电平为1.3V。如果所以晶体管都保持在饱和区，计算小信号增益和最大输出摆福。 c）在b）的电路中，假设使每个PMOS器件进入线性区50mV，以使允许的差动输出摆福增加100mV。当输出摆福过峰值时，小信号增益是多少？