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[判断题]

标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

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第1题

集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约()左右。

A、1V

B、7V

C、10V

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第2题

NPN型晶体管的发射区是()型半导体，集电区是()型半导体，基区是()型半导体。

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第3题

NPN型晶体三极管的发射区和集电区都是N型半导体,所以,它的发射区和集电区可以互换。

此题为判断题(对，错)。

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第4题

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。( )

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第5题

平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是()。

A.发射区

B.基区

C.集电区

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第6题

NPN双极结型晶体管发射区杂质分布为N_dE(x)．晶体管处于正向有源模式．

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第7题

NPN双极结型晶体管发射区杂质分布为N_dE(x)．晶体管处于正向有源模式．

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第8题

NPN晶体管的P区是晶体管的()极。

A.集电极

B.基极

C.发射极

D.源极

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第9题

晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，因此发射极和集电极可以互换使用。()

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第10题

晶体三极管NPN管，集电极电位高于发射极电位时截止。()

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