下列关于化学突触的叙述,错误的是()
A.突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSP
B. 突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSP
C. 细胞外Ca进入末梢轴浆内,触发突触囊泡的出胞
D. 突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象
E. 突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和
A.突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSP
B. 突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSP
C. 细胞外Ca进入末梢轴浆内,触发突触囊泡的出胞
D. 突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象
E. 突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和
第6题
A.缺乏突触前膜和突触后膜的特化结构
B.递质的释放与神经末梢的曲张体有关
C.目前认为只与肾上腺素能神经元有关
D.该方式在中枢和外周都存在
第7题
A.缺乏突触前膜和突触后膜的特化结构
B.递质的释放与神经末梢的曲张体有关
C.目前认为只与肾上腺素能神经元有关
D.传递时间较长
E.该方式在中枢和外周都存在
第8题
A.传递时间较长
B.递质的释放与神经末梢的曲张体有关
C.目前认为只与肾上腺素能神经元有关
D.缺乏突触前膜和突触后膜的特化结构
E.该方式在中枢和外周都存在
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