在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？

在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )

A.试品电容量越大，影响越小

B.试品电容量越大，影响越大

C.与试品电容量无关

D.与试品电容量关系不确定

A、试品电容量越大，影响越大

B、试品电容量越小，影响越小

C、试品电容量越小，影响越大

在相同条件下，用西林电桥测量小电容试品的tanδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )

进行直流耐压试验时，试验电容量小的被试品应加稳压电容。( )

测量主轴回转误差运动，需使用位移传感器。试根据回转误差运动测量的特定情况(例如，精确度高、量程范围小、不允许与测量零件接触、主轴表面材质不一定均匀等)，逐一分析电感式、电容式、电阻式、光栅式、磁栅式的性能，确定它们是否适用。

测量主轴回转误差运动，需使用位移传感器。试根据回转误差运动测量的特定情况(例如：精确度高、量程范围小、不允许与测量零件接触、主轴表面材质不一定均匀等)，逐一分析电感式、电容式、电阻式、光栅式、磁栅式传感器的性能，确定它们是否适用。

测量局部放电时，要求耦合电容( )。

A、tgδ小;

B、绝缘电阻高;

C、泄漏电流小;

D、在试验电压下无局部放电。