试举出三种孔隙度测井方法和三种电阻率测井方法。

A. 二

B. 三

C. 四

D. 五

A、热探针法

B、三探针法

C、四探针法

D、少数载流子寿命测试方法是

A、热探针法

B、四探针法

C、三探针法

D、范德堡法

A. ρ钢>ρ铝>ρ铜

B. ρ铜>ρ铝>ρ钢

C. ρ铝>ρ钢>ρ铜

D. ρ钢>ρ铜>ρ铝

此题为判断题(对，错)。

冷沉淀三种制备方法中，第Ⅷ因子收获率的排序为

A、Pool法<虹吸法<快速融化离心法

B、Pool法<虹吸法≤快速融化离心法

C、Pool法<快速融化离心法≤虹吸法

D、虹吸法法<快速融化离心法<>

E、快速融化离心法<虹吸法法<>

【习题8-3】对由电阻率为的n型硅和厚度为100 nm$二氧化硅膜组成的MOS电容，计算其室温下的平带电容。[假定硅的相对介电常数为，室温下电子迁移率为，]

某土样经试验测得天然密度p=1.7g/cm3,含水量w=20%,土粒相对密度Ds=2.68,试求孔隙比e、孔隙率n、饱和度Sr、干密度d和饱和密度sat.