题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下列参数中属于描述二极管特性的参数是（）。
A.平均整流电流
B. 最高反向电压
C. 最大反向电流
D. 最高工作频率
E. 最低工作温度
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B.ICBO
C.IRM
D.IDM
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第3题
下面关于手机中常用二极管描述错误的是()。
A、普通二极管是利用二极管的单向导电性来工作的有两个引脚，一般为黑色，在其一端有一白色的竖条，表示该端为正极。
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B、稳压二极管简称稳压管，是利用二极管的反向击穿特性来工作的。另外，在手机的充电电路、电源电路也较多地采用了稳压二极管。
C、变容二极管是采用特殊工艺使PN结电容随反向偏压变化比较灵敏的一种特殊二极管。二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加的反向电压有关。
D、发光二极管在手机中主要被用来作背景灯及信号指示灯，发光二极管一般分发红光、绿光、黄光等几种，发光二极管的发光的颜色取决于制造材料。
第4题
在测定二极管伏安特性曲线时，下列表述正确的是()
A、均匀的选取电压的测量值
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B、不论加多大的反向电压，都可以
C、二极管导通后，在增加电源的输出电压，二极管两端的电压仍会明显增加
D、反向电压增大到一定程度，二极管会被击穿
第5题
关于温度对二极管伏安特性曲线的影响，下列说法不正确的是：()。
A、温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电压值，温度升高，二极管两端电流要增加
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B、温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电流值，温度升高，二极管两端电压要增加
C、温度升高时，二极管的反向特性下移幅度大，说明反向饱和电流增大得快，受温度影响大。这是因为温度升高，本征激发增强，导致二极管两个扩散区中的少子浓度增加所引起的
D、温度升高时，反向击穿电压值也下降了
第7题
下面关于硅、锗二极管伏安特性的比较，描述错误的是：()。
A、硅二极管的导通压降比锗二极管的大，但硅二极管的开启电压比锗二极管的小
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B、硅二极管的导通压降和开启电压均比锗二极管的大
C、硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的小
D、一般情况下，硅二极管的反向击穿电压一般比锗二极管的小一些
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