第1题
B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D、易于进行n型和p型掺杂
第2题
第3题
A、锗
B、硼
C、硅
D、硒
第4题
第5题
B.化合物半导体材料
C.合成半导体材料
D.变形半导体材料
第6题
此题为判断题(对,错)。
第7题
B、纯度不足
C、整流效应
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