在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCC＝VEE＝10V，IO＝1mA，ro＝25kW，Rc1＝Rc2＝10kW，BJT的β＝200，VBE＝0.7V。当vi1＝vi2＝0时，VCE1＝VCE2＝；由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1»，共模抑制比KCMR »。

在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCC＝VEE＝10V，IO＝1mA，ro＝25kW，Rc1＝Rc

A、5.7V, -93.5, 467.5

B、5V, -93.5, 467.5

C、5.7V, 93.5, 467.5

D、5V, 93.5, 767.5

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更多“在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCC＝VEE＝10V，I…”相关的问题

第1题

在下图所示的射极耦合差分式放大电路中，＋VCC=＋10V，－VEE=－10V，IO=1mA，ro=25kΩ，(电路中未画出)，Rc1=Rc2=10kΩ，

在下图所示的射极耦合差分式放大电路中，+V_CC=+10V，-V_EE=-10V，I_O=1mA，r_o=25kΩ，(电路中未画出)，R_c1=R_c2=10kΩ，BJT的β=200，V_BE=0.7V。当时，求双端输出时的A_vd和单端输出的A_vd1、A_vc1和K_CMR1的值。

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第2题

CMOS源极耦合差分式放大电路如下图所示，电路参数为＋VDD=＋10V，－VSS=－10V，IO=0.1mA，PMOSFET T3、T4的KP=80μA／V

CMOS源极耦合差分式放大电路如下图所示，电路参数为+V_DD=+10V，-V_SS=-10V，I_O=0.1mA，PMOSFET T₃、T₄的K_P=80μA/V²，λ_P=0.015V^-1，V_T=-1V。NMOSFET T₁、T₂的K_N=100μA/V²，λ_N=0.01V_-1，V_T=-1V。确定差模电压增益A_vd2=?

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第3题

在图4－55所示差分放大电路中，已知RC=50kΩ，R1=10kΩ，R2=3.5kΩ，VCC=10V，VEE=－10V，β=100，试求最大输入共模电压

在图4-55所示差分放大电路中，已知R_C=50kΩ，R₁=10kΩ，R₂=3.5kΩ，V_CC=10V，V_EE=-10V，β=100，试求最大输入共模电压范围V_ic。设T₁、T₂、T₃管的饱和压降V_CE(sat)均为0.3V。

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第4题

在下图所示差分电路中，已知u₁=360cos(2π×10⁶t)mV，u₂=10cos(2π×10³t)mV，V_CC=V_EE=10V，R_E=10kΩ，晶体管的β很大，U_BE(on)可忽略，试用开关函数求i_C=i_C1-i_C2的关系式。

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第5题

如图题5.17所示的差分电路中，已知u₁(t)=360cos(2π×10⁵t)(mV)，u₂(t)=10cos(2π×10³t)(mV),V_CC=V_EE=10V,R_EE=10kΩ，晶体管的β很大，U_BE(on)可忽略。试用开关函数求i_C(t)=i_C1(t)-i_C2(t)的关系式。

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第6题

对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R_e均可视为短路。( )

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第7题

CMOS差分放大电路如下图所示。已知I=25μA，|VGS(th)|=1V，μpCox=10μA／V2，VA=20V。试求放大器的差模电压增益Avd=

CMOS差分放大电路如下图所示。已知I=25μA，|V_GS(th)|=1V，

μ_pC_ox=10μA/V²，V_A=20V。试求放大器的差模电压增益A_vd=v_o/v_id。

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第8题

为了进一步减小集成运放的温漂，可采用多级直接耦合差分放大电路。图6－17所示为两级直接耦合差分放大电路，设

为了进一步减小集成运放的温漂，可采用多级直接耦合差分放大电路。图6-17所示为两级直接耦合差分放大电路，设电位器R_w的动端置于中点处，阻值为200Ω，场效应管的g_m= 1.2mS，三级管的β=100，r_be=5.2kΩ，U_CC= 15V，R_d=30kΩ，-U_EE=-15V，R_e=3kΩ， I₁=0.5mA，I₂=1mA，求总的电压增益A_ud。