题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
层错能越大，扩展位错宽度越小，不易形成扩展位错。（)
此题为判断题(对，错)。
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第1题
层错强化机制指（）。
A、当颗粒与基体结构相差较大，两者的层错能相同，但扩展位错宽度发生变化，位错会受到附加力的作用B、当颗粒与基体结构相差较大，两者的层错能不同，扩展位错宽度不会变化，位错会受到附加力的作用C、当颗粒与基体结构相差较大，两者的层错能不同，扩展位错宽度将发生变化，位错会受到附加力的作用D、当颗粒与基体结构相差较大，两者的层错能相同，扩展位错宽度不发生变化，位错会受到附加力的作用
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第7题
对于GP区和过渡相，说法正确的是()。
A、生成速度 θ〉θ'〉θ''〉GP区
B、稳定性 θ〉θ'〉θ''〉GP区
C、GP区晶体结构未变，Cu偏聚到一层，不用形核，形成速度快
D、GP区形成过程没有新界面产生，因而阻力小
第8题
2.随着回复与再结晶的进行，金属的电阻将()。
A、随着回复与再结晶的进行，点缺陷更少，故电阻降低
B、随着回复与再结晶的进行，点缺陷更少，故电阻降低
C、随着回复与再结晶的进行，点缺陷更少，故电阻降低
D、随着回复与再结晶的进行，点缺陷更少，故电阻降低
第11题
位错的运动包括位错的滑移和攀移，其中()。
A、螺位错只做滑移，刃位错既可以滑移又可以攀移
B、刃位错只做滑移，螺位错既可以滑移又可以攀移
C、螺位错只做滑移，刃位错只做攀移
D、螺位错只做攀移，刃位错既可以滑移又可以攀移
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