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[多选题]

以下有关晶体电光效应的描述,正确的是()。

A.晶体的电光效应指的是某些晶体在电场作用下,折射率出现变化的现象。

B.一次电光效应也称为线性电光效应或者普克尔效应。

C.二次电光效应也称为平方电光效应或克尔效应。

D.一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中。

E.二次电光效应可能存在于任何物质中。

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第1题

在晶体的电光调制实验中,半波电压是一个重要的实验参数,以下有关半波电压的描述中,错误的是( )。
A、横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关,在其他条件情时,晶体的厚度(垂直于通光方向的几何尺寸)越厚,半波电压越高。

B、横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关,在其他条件情时,晶体的通光长度越长,半波电压越高。

C、为了降低半波电压,需要尽可能增加通光方向的几何尺寸。

D、为了降低半波电压,需要将晶体加工成细长的扁长方体。

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第2题

电场引起的晶体折射率的变化可以表示为 以下对式中等号后面第二的描述中正确的是( )。
A、表示不加电场时晶体的折射率

B、电场的一次项所引起的晶体折射率变化效应

C、一次电光效应

D、线性电光效应

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第3题

电光晶体的线性电光效应主要与()有关。
A、外加电场

B、晶体性质

C、光波波长

D、晶体折射率变化

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第4题

电光晶体的非线性电光效应主要与()有关。
A、内加电场

B、激光波长

C、晶体性质

D、晶体折射率变化量

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第5题

晶体的电光效应指的是( )。
A、某些晶体在外加电场的作用下,其折射率随外加电场的变化而变化的现象。

B、某些晶体在外加电场的作用下,吸收系数随外加电场的变化而变化的现象。

C、某些晶体在外加电场的作用下,反射率随外加电场的变化而变化的现象。

D、以上说法都不对。

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第6题

电光效应是指电场引起晶体()变化的现象,能够产生电光效应的晶体称为电光晶体。

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第7题

以下有关电光调制实验中光学系统构建中,正确的光电元件摆放顺序是( )。
A、半导体激光器、起偏器、电光晶体、1/4波片、检偏器、光电探测器

B、半导体激光器、起偏器、1/4波片、电光晶体、检偏器、光电探测器

C、半导体激光器、起偏器、电光晶体、检偏器、1/4波片、光电探测器

D、半导体激光器、1/4波片、起偏器、电光晶体、检偏器、光电探测器

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第8题

一般来说,晶体的一次电光效应要比二次电光效应显著。()

此题为判断题(对,错)。

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第9题

下面说法正确的是( ) 。

A. 光检测器的作用是通过电光效应,将接收的光信号转换为电信号;

B. 光检测器的作用是通过磁光效应,将接收的光信号转换为电信号;

C. 光检测器的作用是通过声电效应,将接收的光信号转换为电信号;

D. 光检测器的作用是通过光电效应,将接收的光信号转换为电信号。

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