下面关于实际三极管的内部结构特点，描述不正确的是（)。

A、依据输出特性曲线上的临界饱和线和截止线，可划分三极管的三个工作区，即饱和区、放大区和截止区。工作在上述三个区域的三极管均具有电流放大作用

B、临界饱和线左上的区域，称为饱和区。处于饱和区的三极管，C和E之间，具有低阻短路特性和作用

C、临界饱和线和截止线之间的区域，称为放大区。处于放大区的三极管，具有集电极电流放大基极电流的电流放大作用，且具有恒流作用

D、截止线以下的区域，称为截止区。处于截止区的三极管，C和E之间，具有高阻开路特性和作用

A、硅三极管导通压降约为0.3V，锗约为0.7V

B、三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个开启电压

C、三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个导通电压

D、三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有二种状态，即截止状态和导通状态

A、NPN型三极管的半导体晶片上的三个杂质区，分别是N区，P区，N区，相对应地，分别称之为集电区，基区，发射区

B、按掺杂区域的类型，三极管可分为NPN型和PNP型两大类

C、三极管有三个电极，分别为基极B、集电极C、反射极E

D、三极管有二个PN结，分别为集电结、反射结

A.基区薄且低掺杂

B.发射区高掺杂

C.发射结面积大

D.集电结面积大

A、三极管工作在饱和状态，起开关作用时，发射结正偏，集电结也正偏

B、三极管工作在放大状态，起放大作用时，发射结正偏，集电结反偏

C、三极管工作在截止状态，起开关作用时，发射结反偏，集电结也反偏

D、三极管工作在放大状态，起恒流作用时，发射结正偏，集电结反偏

A、三极管的发射极电流Ie = 集电极电流Ic + 基极电流Ib

B、工程应用中，可忽略基极电流Ib，近似认为发射极电流Ie = 集电极电流Ic

C、直流集电极电流Ic远大于直流基极电流Ib，且 Ic = β ?Ib，说明，三极管具有直流电流放大能力

D、交流集电极电流ic远大于交流基极电流ib，且 ic = βib，说明，三极管具有交流电流放大能力

A、利用二极管的单向导电性

B、利用三极管的单向导电性

C、把交流电变成直流电

D、把低压电变成高压电

E、把小电流变成大电流

下面关于开关管的说法不正确的是：( )。

A.三极管的开关作用，就是三极管在脉冲信号作用下，一会儿导通，一会儿截止;

B.三极管的开关速度很快，可达到每秒100万次以上;

C.三极管的开关作用在数字电路中得到了广泛的应用;

D.三极管的开关作用是由于达不到其偏值电压所致。

A、只要二个PN结是好的三极管一定是好的

B、只要有正向放大倍数三极管一定是好的

C、只要e极间不击穿三极管一定是好的

D、以上说法都不对

依据三极管内部结构的不同，分为NPN型和PNP型两类。( )

此题为判断题(对，错)。