在光刻工艺中，前烘的主要目的是（)。

A、蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化B、缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力C、防止沾污设备D、增强光刻胶的粘附性

A.妨碍敌观察、侦测B.削弱敌人火力效能C.掩蔽我行动D.迷惑、欺骗敌人

A、多晶是由若干个取向相同的小单晶构成的

B、多晶是由若干个取向不同的小单晶构成的

C、多晶是由若干个小单晶构成的，单晶的取向无所谓

D、多晶与单晶毫无关系

A、砷化镓

B、氮化硅

C、InP

D、硅

A、101

B、110

C、001

D、011

A、40nm

B、0.25um

C、0.35um

D、14nm

A、钛

B、铝

C、铜

D、钨

A、正性光刻胶

B、正性或负性光刻胶

C、负性光刻胶

D、电子束光刻胶

A、整体不带电，呈中性

B、带正电

C、带负电

D、可能带正电，可能带负电

A、易于进行腐蚀加工

B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO₂

C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D、易于进行n型和p型掺杂

A、连接作用：将IC里的各元件连起来，形成一个功能完善而强大的IC

B、接触作用：在基区和发射区、栅区及有源区形成欧姆接触

C、阻挡作用：阻挡Al与Si的互溶，防止结的穿通

D、抗反射作用(ARC作用)：降低Al表面反射率，有利于曝光

A、0.44

B、0.56

C、0.75

D、1