半导体生产中常用的薄膜有（)。

A、易于进行腐蚀加工

B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO₂

C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D、易于进行n型和p型掺杂

A、去离子水和异丙醇

B、三氯乙烯

C、丙酮

D、二甲苯

A、形成PN结

B、形成电阻和形成欧姆接触

C、形成双极形的基区、发射区、集电区，MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂

D、形成电桥作互连线

半导体集成电路生产中，元件之间隔离有()()()隔离等三种基本方法.

在半导体中，通常有()和()两种载流子。

A、固态

B、气态

C、等离子体

D、液态

A、KOH

B、NH4OH

C、NaOH

D、TMAH

制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使它成为劈尖,利用等厚;干涉条纹测出其厚度，已知的Si的折射率为3.42 , Si02的折射率为1.5.用氦氖激光(=632.8nm)垂直照射,在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹,求Si02薄膜的厚度.

A、电子载流子

B、空穴载流子

C、原子核