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[主观题]

一维晶体的电子能带可写为式中a为晶格常数,试求(1)布里渊区边界:(2)能带宽度;(3)电子在波矢k状

一维晶体的电子能带可写为一维晶体的电子能带可写为式中a为晶格常数,试求(1)布里渊区边界:(2)能带宽度;(3)电子在波矢k式中a为晶格常数,试求

(1)布里渊区边界:

(2)能带宽度;

(3)电子在波矢k状态时的速度;

(4)能带底部电子的有效质量mn+;

(5)能带顶部空穴的有效质量mp+;

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第1题

已知某简立方晶体的晶格常数为a,其价电子的能带 E=Acos(kxa)cos(kya)cos(kza)+B. (1)已测得带顶电子的有

已知某简立方晶体的晶格常数为a,其价电子的能带

  E=Acos(kxa)cos(kya)cos(kza)+B.

  (1)已测得带顶电子的有效质量,试求参数A;

  (2)求出能带宽度;

  (3)求出布里渊区中心点附近电子的状态密度。

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第2题

某一维品格的电子能带可写为,a为一维晶格的晶格常数。试计算第一布里渊区的能带宽度和电子的速度。

某一维品格的电子能带可写为a为一维晶格的晶格常数。试计算第一布里渊区的能带宽度和电子的速度。

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第3题

试求面心立方晶体的第一布里渊区。

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第4题

由N个晶胞常数为a的晶胞所构成的一维晶格,其第一布里渊区边界宽度为(),电子波矢的允许值为()的整数倍。
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第5题

在布里渊区边界上电子的能带有何特点?
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第6题

试证明:在晶体中 (1)电子的本征能量En(k)是k的偶函数,即 En(-k)=En(k) (2)在布里渊区的边界处,即在k0=π/(n=±1,±2,…)处 un(0)=0

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第7题

三维简单立方晶格,立方原胞边长为a,试用简约布里渊区表示自由电子能量。定性画出沿FX轴与六个近邻倒格点相对应的自由电子E(k)函数。

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第8题

设有二维正方鼢晶体势场为U(x,y)=-4Ucos

用近自由电子近似的微扰论,近似求出布里渊区顶角

处的能隙。

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第9题

证明一个简单正方晶格在第一布里渊区顶角上一个自由电子的动能比该区一边中点大2倍。

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第10题

试证明面心立方晶格的第一布里渊区的六边形界面起因于(111)原子平面的布喇格反射,四边形界面则起因于(200)原子平面的布喇格反射。

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