A．炒黄法 B．炒焦法 C．炒炭法 D．麸炒法 E．米炒法 牛蒡子的炮制宜用A．B．C．D．E．

抑制性突触后电位产生的离子机制是

A.Na内流

B.K内流

C.Ca内流

D.Cl内流

E.K外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是

A.Na+内流

B.K+内流

C.Ca2+内流

D.CI-内流

E.K+外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是

A．Na+内流

B．K+内流

C．Ca2+内流

D．Cl-内流

E．K+外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是()。

A．Na+内流

B．K+内流

C．Ca2+内流

D．C1-内流

E．K+外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是

A．C1-外流

B．Na+内流

C．C1-内流

D．Ca2+内流

E．K+外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是

A．Na+内流

B．K+勾流

C．Ca2+内流

D．K+外流

E．C1-内流

A．K+外流

B．K+内流

C．CA2+内流

D．Cl-内流

E．NA+内流

抑制性突触后电位产生的离子机制主要是

A．Na+内流

B．K+外流

C．Ca2+内流

D．Cl-内流

E．Na+内流和K+外流

心室肌细胞动作电位2期复极的离子基础是

A.Na内流、K外流

B.K外流、Cl内流

C.K外流、Ca内流

D.N外流、K内流

E.K内流、Ca内流

下列关于窦房结p细胞4期自动去极化机制的叙述，错误的是

A．Na内流进行性增强

B．K外流进行性衰减

C．Ca内流进行性增强

D．CI内流进行性衰减