差分放大器如图LP4-38所示,晶体三极管参数和题4-35相同,已知I_EE=1.04mA,R_L=10kΩ,r_cc

差分放大器如图4-51所示，已知：I_EE=1.04mA，R_L=10kΩ，r_ce=50kΩ，试重复上题的计算，并比较之。

  

CMOS差分放大电路如图3．4．7所示。 已知

试求放大器的差模电压增益Avd=vo／vid。

图4-66所示为有源负载差分放大器，已知各管参数相同，V_BE(on)=0.7V，β=100，|V_A|=100V，试画出差模交流通路和等效电路，并求差模输入电阻R_id、差模输出电阻R_od、差模电压增益A_vd=v_od/v_id。

   

CMOS差分放大电路如下图所示。已知I=25μA，|V_GS(th)|=1V，μ_pC_ox=10μA/V²，V_A=20V。试求放大器的差模电压增益A_vd=v_o/v_id。

 

在图LP4-35所示差分放大器中,已知β=100,试求:T₁和T₂管的集电极静态电流 I_CQ，共模输入电压和差模输入电压

一直接耦合放大器如图所示，已知三只晶体管参数相同，β=100，r_bb'=100Ω。问：

  

  (1)各晶体管属于何种组态?

  (2)若使u_C3=0，问R_b应为多大?

  (3)计算及R_o。

放大器电路题图3．4．6所示。已知晶体管VT1和VT2相同，β=100。VT3和VT4相同，其rce=20kΩ，VT5的IDSS=1mA，其余参数如图中所示。

(a)估算晶体管VT2的静态电流ICQ2和静态时的输出电压Vo； (b)求电路的差模放大倍数Avd。

一个两级放大器如图2．4．15所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0．125mA／V2，VP=一4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数A。

在图4-21所示的共发放大器交流通路中，已知晶体三极管的β=100，I_CQ=1mA，|V_A|=100V。

  

一MOSFET组成的差分放大器如图4-56所示，已知I_SS=25μA，V_GS(th)=1V，W=120μm，l=6μm，μ_nC_ox=20μA/V²，试求V_GSQ、g_m和|V_ID|_max。