说明掺杂对半导体导电性能的影响。

为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？

何谓深能级杂质，它们电离以后有什么特点？

把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？

纯锗，硅中掺入III或Ⅴ族元素后，为什么使半导体电学性能有很大的改变？杂质半导体（p型或n型）应用很广，但为什么我们很强调对半导体材料的提纯？

说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？

为什么极值附近的等能面是球面的半导体，当改变磁场方向时只能观察到一个共振吸收峰。

有两块硅单晶，其中一块的重量是另一块重量的二倍.这两块晶体价带中的能级数是否相等，彼此有何联系？

为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述？

以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？

从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同；