题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

处于平衡状态的理想气体,其分子的速率分布曲线如图12.1,设υP表示最概然速率,△NP/N表示速率分布

A.υP减小,△NP/N也减小

B.υP增大,△NP/N也增大

C.υP减小,△NP/N增大

D.υP增大,△NP/N减小

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第1题

下列四个循环过程中,从理论上看能够实现的循环过程是( )。

A.

B.

C.

D.

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第2题

如果①锗用锑掺杂,②硅用铝掺杂,则分别获得的半导体属于下述类型( )。

A.①、②均为n型半导体

B.①为p型半导体,②为n型半导体

C.①为n型半导体,②为p型半导体

D.①、②均为p型半导体

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第3题

与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是( )。

A.导带也是空带

B.满带与导带重合

C.满带中总是有空穴,导带中总是有电子

D.禁带宽度较窄

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第4题

理想气体绝热地向真空自由膨胀,设初状态气体的温度为T1,气体分子的平均自由程为,末状态温度为T2,自由程为,若气体体积膨胀为原来的两倍,则( )。

A.

B.

C.

D.

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