题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()

A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾

B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾

C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾

D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾

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第1题

悬浮区熔的优点不包括()

A.不需要坩埚

B.避免了容器污染

C.更易获得高纯度硅

D.成本低

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第2题

铸造多晶硅中氢的主要作用包括()

A.钝化晶界

B.钝化错位

C.钝化电活性杂质

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第3题

铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()

A.头尾料和锅底料中含有的氧

B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧

C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧

D.外界空气的进入

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第4题

制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()

A.氧及其相关缺陷

B.参杂浓度

C.以间隙铁为主的过渡族金属杂质

D.材料中的缺陷密度及其分布

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