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[主观题]

MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制,我们定义()来表示电压转换电流的能力。

A.跨导

B.受控电流源

C.跨阻

D.小信号增益

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第1题

()可提高图中放大器的增益。

A.减小,减小

B.增大,增大

C.增大,减小

D.减小,增大

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第2题

最常见的集成电路通常采用()工艺制造。

A.MOS

B.CMOS

C.Bipolar

D.BiCMOS

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第3题

关贸总协定最重要、最基本的原则是()。

A.公平贸易原则

B.非歧视原则

C.透明度原则

D.磋商调解原则

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第4题

载流子沟道就在栅氧层下形成(),源和漏之间“导通”。

A.夹断层

B.反型层

C.导电层

D.耗尽层

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第5题

MOS管一旦出现()现象,此时的MOS管将进入饱和区。

A.夹断

B.反型

C.导电

D.耗尽

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第6题

在塑料中最主要的组成成分是()。

A.阻燃剂

B.合成树脂

C.矿粉填料

D.增塑剂

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第7题

()在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番

A.比尔盖茨

B.摩尔

C.乔布斯

D.贝尔

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第8题

为沟长调制效应系数,对于较长的沟道,值()

A.较大

B.较小

C.不变

D.不定

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第9题

国际追加服务是指服务伴随商品实体()而进行的贸易服务。

A.进口

B.出口

C.购买

D.销售

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第10题

MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的()效应产生的。

A.体

B.衬偏

C.沟长调制

D.亚阈值导通

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