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比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（)。

[主观题]

比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（)。

A.GTO

B.GTR

C.MOSFET

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第1题

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。

A.GTR

B.MOSFET

C.IGBT

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第2题

全控器件在开关频率较高时，使器件损耗增加的主要因素是()。

A.通态损耗

B.断态损耗

C.开关损耗

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第3题

单相半控桥，带电感性负载，晶闸管的导通角为()。

A.90°

B.180°

C.120°

D.150°

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第4题

驱动电路是电力电子器件主电路与哪种电路之间的接口()。

A.缓冲电路

B.保护电路

C.控制电路

D.滤波电路

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