题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
说明影响氧化速率的因素。
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第3题
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
第9题
在Word 2007中“样式”功能区在( )选项卡中。
A.开始
B.插入
C.页面布局
D.引用
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