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[主观题]

非晶砸FPD的优点不包括A.成像环节少B.吸收率高C.灵敏度高D.量子检出效率高E.无电离辐射

非晶砸FPD的优点不包括

A.成像环节少

B.吸收率高

C.灵敏度高

D.量子检出效率高

E.无电离辐射

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第1题

非晶硒FPD的优点不包括A、成像环节少B、吸收率高C、灵敏度高D、量子检出效率高E、无电离辐射

非晶硒FPD的优点不包括

A、成像环节少

B、吸收率高

C、灵敏度高

D、量子检出效率高

E、无电离辐射

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第2题

非晶硒FPD的优点不包括

A.量子检出效率高

B.成像环节少

C.灵敏度高

D.吸收率高

E.无电离辐射

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第3题

非晶硒FPD的优点不包括()

A.灵敏度高

B.吸收率高

C.成像环节少

D.无电离辐射

E.量子检出效率高

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第4题

非晶硒FPD的优点不包括()
A.成像环节少

B.吸收率高

C.灵敏度高

D.动态范围、DQE(detective quantum efficiency,量子检测效率)、MTF高

E.无电离辐射

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第5题

直接转换FPD利用的光导半导体材料是A.非晶桂B.非晶砸C.CslD.PSLE.非晶碳

直接转换FPD利用的光导半导体材料是

A.非晶桂

B.非晶砸

C.Csl

D.PSL

E.非晶碳

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第6题

直接FPD中将射线转化为电信号的是A.非晶砸B.非晶桂C.光激励荧光体D.光电倍增管E.CCD

直接FPD中将射线转化为电信号的是

A.非晶砸

B.非晶桂

C.光激励荧光体

D.光电倍增管

E.CCD

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第7题

间接DR中,位于FPD顶层的是A.非晶砸B.碘化铯C.钨酸钙D.非晶硅E.CCD

间接DR中,位于FPD顶层的是

A.非晶砸

B.碘化铯

C.钨酸钙

D.非晶硅

E.CCD

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第8题

属于DR成像直接转换方式的部件是() directly convert X-ray into electrical signal

A.碘化色+非晶硅探测器 a-Si FPD

B.胶片 Film

C.非晶硒平板探测器 a-Se FPD

D.增感屏 Intensifying screen

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第9题

属于DR成像间接转换方式的部件是() () indirectly convert X-ray into electrical signal

A.增感屏 Intensifying screen

B.非晶硒平板探测器 a-Se FPD

C.多丝正比电离室 Multi wire proportional ionization chamber(MWPC)

D.碘化色+非晶硅探测器 a-Si FPD

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第10题

能将X线直接转换成电信号的是

A.胶片

B.IP

C.非晶砸FPD

D.荧光屏

E.电视

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