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[主观题]

上颌后腭杆的位置是A、第二、三磨牙之间B、第一、二磨牙之间C、第一、二前磨牙之前D、第一磨牙处E、第二

上颌后腭杆的位置是

A、第二、三磨牙之间

B、第一、二磨牙之间

C、第一、二前磨牙之前

D、第一磨牙处

E、第二磨牙处

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第1题

用于破除口呼吸的前庭盾适用于A、呼吸道阻塞者B、年龄过大者C、唇的发育和功能极差者D、前牙严重前突

用于破除口呼吸的前庭盾适用于

A、呼吸道阻塞者

B、年龄过大者

C、唇的发育和功能极差者

D、前牙严重前突且无间隙者

E、因口呼吸引起的早期上牙弓前突

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第2题

上颌后堤沟最深的部位应当位于A、后堤沟的后缘线B、后堤沟的前缘线C、后堤沟靠近腭中缝部位D、后堤沟

上颌后堤沟最深的部位应当位于

A、后堤沟的后缘线

B、后堤沟的前缘线

C、后堤沟靠近腭中缝部位

D、后堤沟靠近牙槽嵴部位

E、翼上颌切迹处

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第3题

弯制邻间钩按照下列哪种卡环的弯制方法A、正型卡环B、间隙卡环C、圈形卡环D、上返卡环E、下返卡环

弯制邻间钩按照下列哪种卡环的弯制方法

A、正型卡环

B、间隙卡环

C、圈形卡环

D、上返卡环

E、下返卡环

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第4题

热凝塑料填塞的最佳时机是A、湿砂期B、稀糊期C、面团期D、粘丝期E、橡胶期

热凝塑料填塞的最佳时机是

A、湿砂期

B、稀糊期

C、面团期

D、粘丝期

E、橡胶期

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第5题

做烤瓷修复体基底冠蜡型时,应在可卸代型上涂布A、液状石蜡B、石膏强化剂C、蜡型分离剂D、间隙涂料E、

做烤瓷修复体基底冠蜡型时,应在可卸代型上涂布

A、液状石蜡

B、石膏强化剂

C、蜡型分离剂

D、间隙涂料

E、蜡

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第6题

非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维

持的时间为

A、1min

B、2min

C、3min

D、4min

E、5min

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第7题

调拌石膏时的正确方法是A、沿多个方向调拌B、沿一个方向调拌C、应两相反方向来回调拌D、水平向调拌E、

调拌石膏时的正确方法是

A、沿多个方向调拌

B、沿一个方向调拌

C、应两相反方向来回调拌

D、水平向调拌

E、垂直向调拌

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第8题

塑胶基托腭舌侧最厚处的内层产生圆形较大的气泡,原因是A、塑胶填塞不足B、热处理过快C、塑胶填塞过

塑胶基托腭舌侧最厚处的内层产生圆形较大的气泡,原因是

A、塑胶填塞不足

B、热处理过快

C、塑胶填塞过早

D、单体过多或单体调拌不匀

E、材料本身原因

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第9题

上半口义齿蜡基托的封闭区是A、颧突区B、上颌结节C、上颌颊角区D、腭小凹E、上颌后堤区

上半口义齿蜡基托的封闭区是

A、颧突区

B、上颌结节

C、上颌颊角区

D、腭小凹

E、上颌后堤区

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第10题

灌注完成的模型应完整无缺,厚薄适宜。一般腭顶和口底的最薄处应保持A、10mmB、10mm以上C、3~5mmD、5mm

灌注完成的模型应完整无缺,厚薄适宜。一般腭顶和口底的最薄处应保持

A、10mm

B、10mm以上

C、3~5mm

D、5mm以上

E、1~2mm

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