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[判断题]

内存参数CAS表示纵向地址脉冲的延迟时间,例如CAO反应时间(CL)2表示它们读取数据所延迟的时间既可以是两个时钟周期。()

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第1题

CAS延迟时间是指内存()地址脉冲的反应时间,是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一

A.纵向

B.横向

C.反向

D.正向

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第2题

关于RAS#Precharge描述正确的是()

A.列地址至行地址的延迟时间,简称RCD

B.行地址控制器延迟时间

C.列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟

D.列地址控制器预充电时间,简称tRP

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第3题

请编制程序,其功能是:内存中连续存放着五个用压缩型(组合型)BCD码表示的2位十进制数,请将它们转

请编制程序,其功能是:内存中连续存放着五个用压缩型(组合型)BCD码表示的2位十进制数,请将它们转换成十个 ASCII字符,高位的BCD码转换后放在较高的地址单元。

例如:

内存中有:21H,43H,(共五个字节)

结果为:31H('1'),32H('2'),33H('3'),34H('4'),…(共十个字节)

部分程序已经给出,其中原始数据由过程LOAD从文件INPUT1.DA丁中读入SOURCE开始的内存单元中,运算结果要求从RESULT开始存放, 由过程SAVE保存到文件OUTPUT1.DAT中。

请填空BEGIN和END之间已给出的源程序使其完整,空白处已用横线标出,每行空白一般只需一条指令,但采用功能相当的多条指令亦可,或删去BEGIN和END之间原有的代码并自行编程来完成所要求的功能。

对程序必须进行汇编,并与IO.OBJ连接产生可执行文件,最终运行程序产生结果。调试中若发现整个程序存在错误之处,请加以修改。

[试题程序]

EXTRN LOAD:FAR,SAVE:FAR

N EQU 5

STAC SEGMENT STACK

DB 128 DUP ()

STAC ENDS

DATA SEGMENT

SOURCE DB N DUP()

RESULT DB N*2 DUP(0)

NAME0 DB 'INPUT1.DAT',0

NAME1 DB 'OUTPUT1.DAT',0

DATA ENDS

CODE SEGMENT

ASSUME CS:CODE,DS:DATA,SS:STAC

START PROC FAR

PUSH DS

XOR AX,AX

PUSH AX

MOV AX,DATA

MOV DS,AX

LEA DX,SOURCE ;数据区起始地址

LEA SI,NANE0 ;原始数据文件名

MOV CX,N ;字节数

CALL LOAD ;从"INPUT.DAT"中读取数据

; ********* BEGIN **********

LEA SI,SOURCE

LEA DI,RESULT

MOV CX,N

NEXT: MOV (1) ,[SI]

(2)

MOV BL,AL

AND AL, (3)

OR AL,30H

MOV [DI], (4)

(5)

MOV AL, (6)

PUSH (7)

MOV CL, (8)

SHR AL,CL

POP (9) OR AL,30H

MOV [DI],AL

(10)

LOOP NEXT

; ******** END ********

LEA DX,RESULT ; 结果数据区首址

LEA SI,NANE1 ; 结果文件名

MOV CX,N*2 ; 结果字节数

CALL SAVE ; 保存结果到文件

RET

START ENDP

CODE ENDS

END START

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第4题

内存参数中,CL指()

A.时钟周期

B.工作频率

C.存取时间

D.CAS延迟时间

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第5题

内存参数中,CL指()。

A.时钟周期

B.工作频率

C.存取时间

D.CAS延迟时间

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第6题

内存的时序参数RAS# to CAS#表示()

A.列动态时间

B.行地址控制器延迟时间

C.列地址至行地址的延迟时间

D.列地址控制器预充电时间[201301]

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第7题

内存的时序参数TRas#表示().

A.行地址控制器延迟时间

B. 列地址至行地址的延迟时间

C. 列地址控制器预先充电时间

D. 列动态时间

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第8题

内存的时序参数RAS#toCAS#表示().

A.列地址至行地址的延迟时间

B. 行地址控制器延迟时间

C. 列地址控制器预充电时间

D. 列动态时间

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第9题

内存的时序参数RAS#toCAS#表示()

A.列地址至行地址的延迟时间

B.行地址控制器延迟时间

C.列地址控制器预充电时间

D.列动态时间

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第10题

内存的时序参数TRas#表示()

A.行地址控制器延迟时间

B.列地址至行地址的延迟时间

C.列地址控制器预先充电时间

D.列动态时间

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第11题

CL(CAS Latency):“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统,我们应当尽量把CAS参数调低。反过来,如果内存运行不稳定,可以将此参数设大,以提高内存稳定性()
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