0, 4, 18, 48, 100, ()
A.140
B.160
C.180
D.200
第1题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A、是局部去极化电位
B、具有"全或无"性质
C、是局部超极化电位
D、由突触前膜递质释放量减少所致
E、是局部去极化电位
第2题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A、是局部去极化电位
B、具有"全或无"性质
C、是局部超极化电位
D、由突触前膜递质释放量减少所致
E、是局部去极化电位
第3题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.是局部去极化电位
B.具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
第4题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.是局部去极化电位
B.具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
第6题
抑制性突触后电位是
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜Na+通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致
第7题
抑制性突触后电位是()。
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有“全或无”特征
D.突触前膜递质释放量减少所致
E.突触后膜对Na+通透性增加所致
第8题
抑制性突触后电位是
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜Na+通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致
第9题
抑制性突触后电位是
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜NA+通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致
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