薄膜材料制造试题及答案解析
[判断]
薄膜最早期的应用只局限于抗腐蚀和制造镜面（）
是否
[多选]
主要半导体制造工艺的工序有（)。
A .薄膜生长B .刻蚀C .光刻D .离子注入
[判断]
在薄膜加热试验中，蒸发“损失”试验计算结果只有正值，没有负数（）
是否
[主观]
沥青的蒸发损失试验和薄膜加热试验除盛样容器不同外，其他试验条件完全相同。 （)A．正确B．错误
沥青的蒸发损失试验和薄膜加热试验除盛样容器不同外，其他试验条件完全相同。 ()
A．正确
B．错误
[多选]
集成电路按照制造工艺可分为（)。
A .半导体集成电路B .薄膜集成电路C .数字集成电路D .厚膜集成电路
[单选]
制造半导体器件薄膜化学气相沉积装置
A .8486.3021B .8486.2029C .8486.2021D .8486.3029
[单选]
用薄膜加热试验测定沥青加热前后性质的变化，反映沥青的（）性质。
A .高温稳定性B . 抗裂性C . 水稳性D . 抗老化性
[单选]
机采用收缩薄膜包裹在产品或包装件外面，经过加热，使收缩薄膜收缩裹紧产品或包装件（）
A .裹膜包装B .捆扎包装C .封口包装D .打包
[单选]
对熔点低、熔融后不分解的物质，可用（）法制样
A .薄膜B . 糊状C . 压片D . 加热
[单选]
在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用____聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
A .凸透镜B .凹透镜C .聚光镜D .平光镜
[主观]
试述采用薄膜烘箱加热试验测定沥青老化性能的试验步骤。
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
[主观]
制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅（SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一
制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，使它成为劈尖，利用等厚干涉条纹测出其厚度．已知Si的折射率为3．42，SiO2的折射率为1．5．用氦氖激光(λ=632．8nm)垂直照射，在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹，求SiO2薄膜的厚度． 
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
[单选]
分层实体制造（LOM）工艺是采用激光束加工（）材料，逐层叠加成型。
A .粉末B .液态C .薄膜D .丝状
[主观]
制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅（SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜
制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使它成为劈尖,利用等厚;干涉条纹测出其厚度，已知的Si的折射率为3.42 , Si02的折射率为1.5.用氦氖激光(=632.8nm)垂直照射,在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹,求Si02薄膜的厚度.
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
[多选]
按照集成电路的制造工艺分类，可以分为（）
A .半导体集成电路B .薄膜集成电路C .厚膜集路D .混合集成电路
[主观]
沥青薄膜烘箱加热试验，若蒸发损失率为正值，则表明试验失败，应冲新进行试验
A．错误
B．正确
[判断]
沥青的蒸发损失试验和薄膜加热试验除盛样容器不同外，其它试验条件完全相同（）
是否
[单选]
聚丙烯薄膜有两种制造方法（）
A .流延聚丙烯（CPP）B . 双向拉伸聚丙烯（BOPP）C . 缩聚反应D . 化学前处理E . 聚合反应
[多选]
在制造CIGS薄膜太阳能电池的方法中，广泛使用（）
A .蒸镀法B .硒化法C .喷雾法D .吸收法
[单选]
哪些蒸发设备的分离室在下部
A .外加热式蒸发器B .刮板薄膜蒸发器C .降膜蒸发器D .升-降膜蒸发器
