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[主观题]

患者,女,25岁,上颌前磨牙龋病,经治疗后要求做PFM冠保...

患者,女,25岁,上颌前磨牙龋病,经治疗后要求做PFM冠保护性修复现在临床上用于制作PFM冠桥的瓷粉属于A、高熔瓷粉

B、低熔瓷粉

C、中熔瓷粉

D、铸造陶瓷

E、以上都不是

若在制作PFM冠桥时使用低熔瓷粉,其熔点是A、800~871℃

B、1065~1150℃

C、871~1065℃

D、1150~1250℃

E、>1250℃

烤瓷合金的熔点必须高于瓷粉熔点A、50~80℃

B、170~270℃

C、>350℃

D、80~170℃

E、270~350℃

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第1题

患者,女,25岁,上颌前磨牙龋病,经治疗后要求做PFM冠保护性修复。现在临床上用于制作PFM冠桥的瓷粉属于A、高熔瓷粉

B、低熔瓷粉

C、中熔瓷粉

D、铸造陶瓷

E、以上都不是

烤瓷合金的熔点必须高于瓷粉熔点A、50~80℃

B、170~270℃

C、>350℃

D、80~170℃

E、270~350℃

若在制作PFM冠桥时使用低熔瓷粉,其熔点是A、800~871℃

B、1 065~1 150℃

C、871~1 065℃

D、1 150~1 250℃

E、>1 250℃

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第2题

患者,女,25岁,上颌前磨牙龋病,经治疗后要求做PFM冠保护性修复现在临床上用于制作PFM冠桥的瓷粉属于A、高熔瓷粉

B、低熔瓷粉

C、中熔瓷粉

D、铸造陶瓷

E、以上都不是

若在制作PFM冠桥时使用低熔瓷粉,其熔点是A、800~871℃

B、1065~1150℃

C、871~1065℃

D、1150~1250℃

E、>1250℃

烤瓷合金的熔点必须高于瓷粉熔点A、50~80℃

B、170~270℃

C、>350℃

D、80~170℃

E、270~350℃

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第3题

患者,女,25岁,上颌前磨牙龋病,经治疗后要求做PFM冠保护性修复现在临床上用于制作PFM冠桥的瓷粉属于A、高熔瓷粉

B、低熔瓷粉

C、中熔瓷粉

D、铸造陶瓷

E、以上都不是

若在制作PFM冠桥时使用低熔瓷粉,其熔点是A、800~871℃

B、1065~1150℃

C、871~1065℃

D、1150~1250℃

E、>1250℃

烤瓷合金的熔点必须高于瓷粉熔点A、50~80℃

B、170~270℃

C、>350℃

D、80~170℃

E、270~350℃

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第4题

某患者[图]死髓牙,经根管治疗后要做PFM全冠修复,在等...

某患者死髓牙,经根管治疗后要做PFM全冠修复,在等待全冠修复前,应做的处理是()

A. 制作间隙保持器

B. 制作活动义齿保持间隙

C. 不做任何处理

D. 用塑料全冠做保护性修复

E. 用金属全冠做保护性修复

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第5题

一[图]死髓牙、经根管治疗后要作PFM全冠修复的、40岁的...

死髓牙、经根管治疗后要作PFM全冠修复的、40岁的男性患者,在等待全冠初戴前,应作的处理是()

A. 制作间隙保持器

B. 制作活动义齿保持间隙

C. 不作任何处理

D. 用塑料全冠做保护性修复

E. 用金属全冠做保护性修复

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第6题

一[图]死髓牙、经根管治疗后要作PFM全冠修复的、40岁的...

死髓牙、经根管治疗后要作PFM全冠修复的、40岁的男性患者,在等待全冠初戴前,应作的处理是()

A. 制作间隙保持器

B. 制作活动义齿保持间隙

C. 不作任何处理

D. 用塑料全冠做保护性修复

E. 用金属全冠做保护性修复

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第7题

男,40岁,右下第一磨牙死髓牙,经根管治疗后以PFM全冠修复,经牙体制备取模后,在全冠初戴之前,尚需作何种处理( )

A.不需作任何处理

B.用塑料全冠作暂时保护性修复

C.用金属全冠作保护性修复

D.制作活动义齿保持间隙

E.制作间隙保持器

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第8题

患者男,40岁,6死髓牙,经根管治疗后以PFM全冠修复,经牙体制备取模后,在全冠初戴之前,尚需作的处理是

A、不需做任何处理

B、用塑料全冠做暂时保护性修复

C、用金属全冠做保护性修复

D、制作活动义齿保持间隙

E、制作间隙保持器

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第9题

某患者6死髓牙,经根管治疗后要做PFM全冠修复,在等待全冠修复前,应做的处理是()。

A. 制作间隙保持器

B. 制作活动义齿保持间隙

C. 不做任何处理

D. 用塑料全冠做保护性修复

E. 用金属全冠做保护性修复

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第10题

患者男,40岁。6死髓牙,经根管治疗后以PFM全冠修复,经牙体制备取模后,在全冠初戴之前,尚需作何种处理

A、不需作任何处理

B、用塑料全冠作暂时保护性修复

C、用金属全冠作保护性修复

D、制作活动义齿保持间隙

E、制作间隙保持器

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